Источник протонов

Сегодня трудно представить наш мир без ионных пучков. Многие из фундаментальных открытий, направленных на развитие представлений о строении материи, были сделаны с их помощью.

Ионные пучки широко применяются в космических технологиях (облучение поверхности планет и космических аппаратов), модификации поверхностей (ионная имплантация, ионное травление, формирование топографии), напылении пленок (ионное ассистирование), проведении исследований физических и химических свойств материалов, структурированных в наноразмерных масштабах, и многих других.
Для получения пучка протонов с энергией до 50 кэВ и плотностью тока на образце до 1016 1/см2 нашей компанией разработана установка «VSE_IGUN_50».
Установка «VSE_IGUN_50» состоит из:
  • Ионного источника, включающего в себя блок генерации СВЧ энергии на основе магнетрона 2M261-M32 jp мощностью 1 кВт, блок подачи плазмообразуюшего газа (водорода) и блок формирования пучка;
  • Системы безмасляной вакуумной откачки;
  • Тракта ионного пучка.
  • Для визуального наблюдения пучка ионов в тракте пучка установлено смотровое окно из боросиликатного стекла.
Основные технические характеристики:
  • Энергия пучка протонов от 3 до 50 кэВ;
  • Ток пучка протонов от 2,5 нА до 0,1 мА, плотность тока на образце от 1012 до 1016 1/см2;
  • Угол расхождения пучка протонов регулируется в диапазоне от 2 до 10 градусов;
  • Неравномерность потока протонов (при диаметре облучаемой поверхности 140 мм) не более 10%;
  • Максимальное давление в рабочей камере 10-5 торр;
Плазмообразующий газ – водород.

ОСТАВИТЬ ЗАЯВКУ

Поля, отмеченные * — обязательны для заполнения.