Установка плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы VSE_PECVD_100 (CVD)

Технология плазмохимического осаждения (PE CVD) использует плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Применение различных приемов возбуждения плазмы в реакционном объёме и управление её параметрами позволяет интенсифицировать процессы роста покрытий, проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах подложки, делает более управляемыми процессы формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия по сравнению с аналогичными процессами при химическом осаждении из газовой фазы (CVD), основанными на термическом разложении реакционного газа.

Данным методом производят материалы различных структур: монокристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные слои.

Разработанная нашей компанией установка «VSE_PECVD_100» предназначена, в частности, для разработки методик нанесения пленок карбонитрида кремния SiCxNy на полупроводниковые пластины Si(100) и GaAs(100) методом плазмохимического осаждения из газовой фазы.

Установка «VSE_PECVD_100» состоит из:

  • Вакуумной камеры из нержавеющей стали с электрохимической полировкой всех поверхностей, диаметром 320 мм и высотой 360 мм;
  • Подложкодержателя и системы нагрева подложки и магистралей подвода парообразных прекурсоров;
  • Двухканальной системы подачи жидких прекурсоров;
  • ВЧ системы генерации плазмы;
  • Экрана, для защиты стенок камеры от запыления;
  • Набора термопар для контроля температуры в различный точках установки;
  • Системы автоматизации процесса, включая в себя систему блокировок и кросс-бокс с гальваническими развязками;
  • Оригинального программного обеспечения.

Для проведения визуального наблюдения за процессом осаждения установка оснащена смотровым окном из боросиликатного стекла. Интерфейс программы управления установкой

Основные технические характеристики:

  • Предельный вакуум – 5∙10-2 торр;
  • Максимальная температура парообразования прекурсоров до 150 0С;
  • Активация парообразных прекурсоров в ВЧ плазме (13,56 МГц), мощность плазмы до 300 Вт;
  • Максимальный размер подложки 100 мм;
  • Нагрев подложки до 600 0С, точность поддержания температуры ±1 0С;
  • Водяное охлаждение узлов установки;

Управление установкой в ручном и полуавтоматическом режимах.

ОСТАВИТЬ ЗАЯВКУ

Поля, отмеченные * — обязательны для заполнения.